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再爭龍頭寶座,英特爾全力沖刺半導體市場

作者: 編輯: 來源: 發(fā)布日期: 2019.01.21
信息摘要:
2019年對英特爾(Intel)來說,將是個力求重返榮耀的一年,這個曾經(jīng)的半導體市場龍頭,除了在芯片制程微縮的競賽上落后臺積電和三星,去年自…

2019年對英特爾(Intel)來說,將是個力求重返榮耀的一年,這個曾經(jīng)的半導體市場龍頭,除了在芯片制程微縮的競賽上落后臺積電和三星,去年自家的14納米處理器的出貨也不太順暢,10納米產(chǎn)品計劃也因故延遲。雖然其資料中心處理器和基帶芯片在去年略有斬獲,但失去寶座的酸澀,讓他們勢必要想辦法追討回來。

 在去年12月的架構(gòu)日(Architecture Day)上,英特爾就一舉揭露了多項先進技術(shù),包含 10納米的處理器架構(gòu),以及新的3D封裝技術(shù)等;而在產(chǎn)品策略上,也重申將持續(xù)朝向數(shù)據(jù)為核心「Data-Centric」的應(yīng)用方針。

 此外,英特爾也宣布將著手擴廠,同時結(jié)束其下晶圓代工的業(yè)務(wù),其目標很明顯,就是要全力發(fā)展下世代的半導體技術(shù),不僅要在制程上跟上領(lǐng)先者,同時也要在運行性能方面,進一步拉開與競爭者間的差距。

 

10納米處理器架構(gòu)「Sunny Cove

 

首先,就是去年延遲的10納米處理器有了更詳盡的技術(shù)細節(jié)。作為下一代的處理器,代號「Sunny Cove」的處理器架構(gòu)除了采用10納米制程外,同樣也使用新的設(shè)計架構(gòu),而其思維,就是要針對新世代應(yīng)用在AI、資料壓縮與數(shù)據(jù)加密的性能上,帶來最佳的優(yōu)化效果。

 根據(jù)英特爾的說法,「Sunny Cove」將會比前一代更深入、更廣泛,也更智能(Deeper, Wider, and Smarter),而其在技術(shù)的推進上,則是進一步提升IPCperformance-per- clock)效能,包含增加專用的寄存器與指令集( AESSHA-NI),來加速對AI運算的速度。

 在硬體方面,10納米制程理所當然的增加了整體的運算效能,但在新的設(shè)計構(gòu)構(gòu)理,英特爾則是又提了處理器本身的平行運算能力,同時也增加了暫存與快取的容量,包含L1 增加了50%,L2也將依據(jù)產(chǎn)品線做不同的提升;而在執(zhí)行埠(execution ports )也由原先的8個擴增至10個,此外,在儲存頻寬上也做了增加,一個運算循環(huán)能執(zhí)行兩個儲存序。


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1 : 代號「Sunny Cove」的處理器除了采用10納米制程,更大幅增加了快取與平行執(zhí)行性能,以針對新世代應(yīng)用帶來最佳的優(yōu)化效果

 值得一提的是,此次英特爾特別在快取記憶體上下足了工夫,線性位址空間(linear address space)由48 bits提升至 57 bits,同時實體的位址空間也增加到52 bits。

 而根據(jù)英特爾的發(fā)展藍圖,新的「Sunny Cove」架構(gòu)將會運用在下一代的資料中心(Xeon)與消費型( Core)的處理器上,預(yù)計在今年開始出貨,但目前沒有更確切的時間表。

 

11代整合顯示芯片技術(shù)

 

自從第一代的整合型顯示芯片約在2000年推出之后,英特爾的整合型GPU就勢如破竹,一路占據(jù)了多數(shù)的消費型PC平臺,而最新公布的整合型顯示芯片已是其第11代產(chǎn)品(但前一代是第9代,沒有第10代)。

 同樣預(yù)計在2019年與CPU一起推出,第11 代的產(chǎn)品在性能上也同樣有明顯的提升,英特爾大幅增加了強化執(zhí)行單元,從原本的24個倍增至64個,讓浮點運算效能提升到超過1 Tera FLOPS 。此外,第11代的整合顯示芯片也大幅強化了對游戲執(zhí)行的能力,包含支援區(qū)塊式成像(tile-based rendering)技術(shù),以及Sync 技術(shù)。

 另一方面,由于采用了更先進的制程,新款整合芯片的體積也進一步縮小,僅有前代的75%,但運算資源卻是增加了兩倍。此外也強化了在影片編解碼的支援上,例如:HEVC ,以支援4K影片串流,以及8K內(nèi)容的創(chuàng)作。雖然其性能仍不能跟獨立顯卡相提并論,但對于筆記型電腦與文書型PC 來說,絕對是綽綽有余。

 而除了發(fā)表最新一代的整合顯示芯片技術(shù)外,英特爾也揭露了其次世代的顯示芯片架構(gòu)-「Xe」。這個代號「Xe」的 GPU架構(gòu)預(yù)計將在2020年推出,性能將一舉達到Peta FLOPS的等級。而根據(jù)英特爾的計劃,該款 GPU將具有即將的可擴展性(scalability),能夠支援從AI/資料中心,到重度用戶、中階產(chǎn)品,與整合型的入門用戶,而這似乎也透漏了在這個架構(gòu)下,也許傳說的英特爾獨立顯示芯片即將問世。

 

業(yè)界首款3D邏輯芯片堆疊技術(shù)

 在主流產(chǎn)品的進度更新之后,英特爾也首度展示了其最新的3D芯片技術(shù)-「Foveros」。而不同于過去的 3D芯片堆疊技術(shù),Foveros是可達成邏輯芯片對邏輯芯片的整合技術(shù)。

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2 : Foveros」而不同于過去的3D芯片堆疊技術(shù),是可達成邏輯芯片對邏輯芯片的整合技術(shù)。

 英特爾甚至強調(diào),Foveros技術(shù)的問世是該公司在3D封裝上的一大進展,是繼EMIB Embedded Multi-die Interconnect Bridge2D封裝技術(shù)之后的一大突破。

 英特爾表示,Foveros的問世,將為裝置與系統(tǒng)整合高性能、高密度、低功耗的硅芯片處理技術(shù)開辟一條可行的道路。Foveros預(yù)期可以擴增超越傳統(tǒng)被動中介層( interposers)的芯片堆疊,同時首次把記憶體堆疊到如CPU、繪圖芯片和AI處理器等,這類高性能邏輯芯片之上。

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3 : 英特爾強調(diào),Foveros技術(shù)的問世是該公司在3D封裝上的一大進展。

 此外,英特爾也強調(diào),新技術(shù)將提供卓越的設(shè)計彈性,尤其當開發(fā)者想在新的裝置外型中置入結(jié)合不同類型記憶體和I/O元素的混合IP區(qū)塊。它能將產(chǎn)品分拆成更小的「微芯片( chiplets)」結(jié)構(gòu),讓I/O、SRAM和電源傳遞電路可以被在配建在底層的裸晶上,接著高性能的邏輯微芯片則可進一步堆疊在其上。

 英特爾預(yù)計,將會在明年的第二季發(fā)表一系列的采用Foveros技術(shù)的產(chǎn)品,而首款采用該技術(shù)的產(chǎn)品將會把高性能的10納米運算堆疊的邏輯微芯片,與低功耗的 22納米鰭式場效電晶體(FinFET)制程的22FFL底層裸晶結(jié)合在一起。而它將能實現(xiàn)一種超小型裝置,同時具有世界級的運算效能與極佳的能源效率。

 

新儲存技術(shù)更新與建廠計劃

 在架構(gòu)日當天,英特爾也更新了其新一代儲存技術(shù)「Intel Optane DC persistent memory」持久記憶體的最新進展。

 英特爾再次強調(diào),此技術(shù)是一種革命性的儲存技術(shù),能夠帶來媲美記憶體的效能(memory-like),卻同時兼具資料持久儲存與大容量的性能。此所以會稱之為媲美記憶體,因為這項產(chǎn)品是采用RAM DDR4的插槽規(guī)格,可以插進主機板的RAM槽中,是一大創(chuàng)新的設(shè)計。

 英特爾表示,這個革命性的技術(shù),能讓更多的數(shù)據(jù)更接近CPU,以讓像AI和大型資料庫這類需要處理大量數(shù)據(jù)的應(yīng)用,可以加快其資料處理的速度。依據(jù)英特爾的資料, Intel Optane DC持久型記憶體可為CPU提供64Bcache line 讀取。當應(yīng)用程序直接讀取Optane DC持久性記憶體時,或者請求的資料沒有被快取在DRAM中時,Optane DC 的平均空閑讀取延遲約為350納秒(nanoseconds)內(nèi)。

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4 : Intel Optane DC persistent memory」采用RAMDDR4的插槽規(guī)格,可以插進主機板的RAM槽中。

 而在新廠建置方面,英特爾也在架構(gòu)日結(jié)束后的數(shù)日內(nèi),發(fā)出一篇新聞稿指出,英特爾將從過去的PC-centric轉(zhuǎn)向Data-centric為主的企業(yè),將為更多的應(yīng)用與市場來提供解決方案,包含運算、分析、儲存與資料分享等,將不再僅是 CPU的供應(yīng)商,要競逐整體超過3000億美元的半導體市場。

 也因此,英特爾將提高資本支出,用來投入新的產(chǎn)能興建。英特爾技術(shù)與制造總經(jīng)理Ann Kelleher表示,除了將擴大14納米的產(chǎn)能之外,也將更新在亞利桑那州 Fab 42的生產(chǎn)設(shè)備。

 此外,她更指出,英特爾已決定在新墨西哥州的工廠開發(fā)新一代儲存和記憶體技術(shù)。將于2019年開始在俄勒岡州,愛爾蘭和以色列拓展新的生產(chǎn)據(jù)點制造場地擴建的早期規(guī)劃階段。

 Ann Kelleher表示,透過這些新的工廠產(chǎn)能,英特爾將可更快速的回應(yīng)市場需求,并使供應(yīng)時間縮短大約60%。

 整體來說,這些新技術(shù)與新產(chǎn)能的規(guī)劃,不難看出英特爾已決心大刀闊斧地往其他的半導體市場前進,而第一步就是與CPU最相關(guān)的記憶體與顯示芯片的市場,而會帶來多少的沖擊,又會掀起如何的競爭,值得大家繼續(xù)觀察下去。

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