半導體硅片清洗的原則 一般有哪些？今天無錫奧曼特小編為您介紹一下半導體硅片清洗的原則：

硅片清洗的一般原則是首先去除表面的有機沾污；然后溶解氧化層（因為氧化層是“沾污陷阱”，也會引入外延缺陷）；最后再去除顆粒、金屬沾污，同時使表面鈍化。

清洗硅片的清洗溶液必須具備以下兩種功能：

（1）去除硅片表面的污染物。溶液應具有高氧化能力，可將金屬氧化后溶解于清洗液中，同時可將有機物氧化為CO2和H2O；

（2）防止被除去的污染物再向硅片表面吸附。這就要求硅片表面和顆粒之間的Z電勢具有相同的極性，使二者存在相斥的作用。在堿性溶液中，硅片表面和多數(shù)的微粒子是以負的Z電勢存在，有利于去除顆粒；在酸性溶液中，硅片表面以負的Z 電勢存在，而多數(shù)的微粒子是以正的Z電勢存在，不利于顆粒的去除。

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