中國(guó)國(guó)內(nèi)已經(jīng)形成完備的半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)，在封測(cè)和LED設(shè)備領(lǐng)域，國(guó)產(chǎn)替代化比例逐漸升高；但在技術(shù)要求苛刻的晶圓制造領(lǐng)域，目前還主要依賴(lài)進(jìn)口設(shè)備。

高端制造設(shè)備的乏力與中國(guó)高速增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求不相匹配，2015年中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)需求約49億美元，占全球市場(chǎng)14%，而2015年中國(guó)國(guó)內(nèi)前十大半導(dǎo)體設(shè)備廠(chǎng)商的銷(xiāo)售額約為38億RMB，占全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)份額不足2%，基本處于可忽略的境地，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的尷尬處境急需轉(zhuǎn)變。中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)也正經(jīng)歷著“四大挑戰(zhàn)”。

中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備的關(guān)鍵零部件受制于人

以光刻機(jī)為例，光刻機(jī)中的核心鏡頭部件主要來(lái)源于日本的NIKON、德國(guó)的Zessi，現(xiàn)實(shí)情況，美日的盟國(guó)既可以購(gòu)買(mǎi)高科技半導(dǎo)體產(chǎn)品，也可以購(gòu)買(mǎi)高科技半導(dǎo)體設(shè)備及核心零部件。

一直以來(lái)，美國(guó)等發(fā)達(dá)國(guó)家對(duì)中國(guó)高端技術(shù)的引進(jìn)都保持封鎖態(tài)度，中國(guó)等非盟國(guó)團(tuán)體雖然可以購(gòu)買(mǎi)設(shè)備和技術(shù)，但最先進(jìn)的技術(shù)設(shè)備都會(huì)被列入禁運(yùn)名單，一般只會(huì)允許落后兩代左右的技術(shù)登陸，核心技術(shù)及關(guān)鍵零部件進(jìn)口難度可想而知。

短期內(nèi)，核心部件技術(shù)突破并不現(xiàn)實(shí)，那么通過(guò)外交干涉來(lái)解決核心部件進(jìn)口問(wèn)題將成為關(guān)鍵，如何處理中美、中日等復(fù)雜的國(guó)際關(guān)系是擺在中國(guó)政府面前的一大挑戰(zhàn)。

巨頭壟斷，設(shè)備推廣面臨挑戰(zhàn)

相對(duì)于國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)的步履維艱，國(guó)產(chǎn)氧化爐、刻蝕機(jī)與薄膜沉積設(shè)備已初現(xiàn)活力，國(guó)產(chǎn)設(shè)備正逐漸打入中芯國(guó)際、華力微電子、三安光電、武漢新芯等大陸一線(xiàn)廠(chǎng)商。

七星電子的12英寸立式氧化爐，工藝覆蓋90~28nm，已通過(guò)生產(chǎn)線(xiàn)驗(yàn)證并進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段，目前實(shí)現(xiàn)銷(xiāo)售10臺(tái)（包括2臺(tái)中芯國(guó)際B2的28nm氧化爐）；北方微電子在LED和MEMS領(lǐng)域刻蝕機(jī)市場(chǎng)，以及先進(jìn)封測(cè)領(lǐng)域的PVD市場(chǎng)，國(guó)內(nèi)占有率已超過(guò)50%，領(lǐng)先海外競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手；中微半導(dǎo)體的電介質(zhì)刻蝕設(shè)備、TSV刻蝕設(shè)備也已走出國(guó)門(mén)。