無錫奧曼特分析——2018中國半導體行業(yè)發(fā)展情況，大陸半導體核心產業(yè)鏈逐步規(guī)?；?。

一、半導體產業(yè)鏈的兩次遷移

半導體產業(yè)起源地為美國，美國迄今仍在IDM 模式（從設計、制造、封裝測試以及投向消費市場一條龍全包）及垂直分工模式中的半導體產品設計環(huán)節(jié)占據(jù)絕對主導地位，而存儲器、晶圓代工及封測等重資產、附加值相對低的環(huán)節(jié)陸續(xù)外遷。

由于半導體屬于技術及資本高度密集型行業(yè)，只有下游終端需求換代等重大機遇來臨時，新興地區(qū)通過技術引進、勞動力成本優(yōu)勢才有機會實現(xiàn)超越，推動產業(yè)鏈遷移。

第一次半導體遷移：發(fā)生在大型計算機時代，存儲器制造環(huán)節(jié)由美國向日本轉移。日本憑借規(guī)?；a技術占據(jù)成本和可靠性優(yōu)勢，成為DRAM （動態(tài)隨機存取存儲器）主要供應國。此次遷移對上游帶動作用明顯， 即便后期日本喪失存儲器優(yōu)勢，迄今仍在上游原材料、設備領域占據(jù)領先地位。

第二次半導體遷移：發(fā)生在PC 時代，PC 對DRAM 的訴求由可靠性轉變?yōu)榈蛢r，韓國憑借勞動力優(yōu)勢取代日本的地位，至今仍主導存儲器市場。

與此同時，臺灣首創(chuàng)垂直分工模式，逐步形成IC（集成電路）設計、晶圓代工、封測聯(lián)動的產業(yè)集群。隨著全球移動產品盛行、迭代速度更快， 垂直分工模式以其更短的產品生命周期及更具競爭性的價格逐漸占據(jù)主導地位，長期引領全球圓晶代工、封測等環(huán)節(jié)。

二、大陸成為半導體產業(yè)第三次遷移地

當前為IOT（Internet of Things  物聯(lián)網(wǎng)） 等下一輪終端需求換代醞釀期，為大陸半導體產業(yè)崛起創(chuàng)造機遇，并提供技術積累的時間窗口。預計未來五年半導體市場仍將由智能手機硅含量增加主導，汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)等新興領域為高增長亮點。

在手機領域，國產手機終端品牌話語權不斷增大，持續(xù)推動大陸電子產業(yè)向高端零部件拓展，對最為核心的芯片產業(yè)的帶動作用正逐漸彰顯。而IOT、汽車電子等新興產品對制程要求不高，主要聚焦于成熟制程，大陸半導體各環(huán)節(jié)廠商已具備相應能力，并與國際廠商同步布局。

基于此，判斷大陸半導體產業(yè)在國家政策資金重點扶持下，通過技術積累、及早布局，具備能力把握潛在需求換代機遇，成為半導體產業(yè)第三次遷移地。

1、國內下游市場需求旺盛，IC 自給率提升空間大

中國是全球最大的半導體消費市場，半導體需求量全球占比由2000 年的7%攀升至2016 年的42%，成為全球半導體市場的增長引擎。然而，大陸半導體產業(yè)發(fā)展與其龐大的市場需求并不匹配，IC 仍大程度依賴于進口。2016 年本土芯片自給率僅為25%，且預計未來三年自給率仍不到30%，國產IC 自給率仍有相當大的提升空間。

2010-2019E本土芯片供應與需求量對比（單位：十億美元）

資料來源：公開資料《2018-2024年中國半導體光電器件行業(yè)競爭態(tài)勢及投資戰(zhàn)略研究報告》

2、政策資金已到位，資源加速集中促成長

半導體產業(yè)屬高度技術及資金密集型產業(yè)，需要國家層面在政策傾斜、資金補貼、技術轉讓、人才獲取等多方位支持。為避免大陸IC 產業(yè)過度依賴進口，中國政府已將半導體產業(yè)發(fā)展提升至國家戰(zhàn)略高度，并針對設計、制造、封測各環(huán)節(jié)制定明確計劃。

國家集成電路產業(yè)投資基金（大基金）首期募資規(guī)模達1387.2 億元人民幣，截至2017 年9 月已進行55 余筆投資，承諾投資額已達1003 億元， 且二期募資正在醞釀中。同時由 “大基金”撬動的地方集成電路產業(yè)投資基金（包括籌建中）達 5145 億元，合計基金規(guī)模達6531 億元人民幣，引導中國大陸半導體業(yè)產能建設及研發(fā)進程加快，生產資源加速集中最終實現(xiàn)競爭力提升。

三、大陸半導體核心產業(yè)鏈逐步規(guī)?；?span>

半導體產業(yè)鏈分為核心產業(yè)鏈、支撐產業(yè)鏈。核心產業(yè)鏈包括半導體產品的設計、制造及封裝測試。支撐產業(yè)鏈則包括為設計環(huán)節(jié)服務的EDA（電子設計自動化）工具及IP 核供應商、為制造封測環(huán)節(jié)服務的原材料及設備供應商。

半導體支撐產業(yè)鏈由歐美日本壟斷，大陸廠商與國際龍頭技術及規(guī)模差距甚大。EDA 工具環(huán)節(jié)由美國絕對主導，IP 核由英美兩國主導，大陸企業(yè)在此領域涉足甚少。原材料由日本主導，大陸企業(yè)在靶材、拋光液個別領域已達國際水平，但在硅片、光罩、光刻膠等核心領域仍有較大差距。設備環(huán)節(jié)仍主要由歐美、日本壟斷，大陸企業(yè)在MOCVD 等個別細分領域有所突破。

大陸半導體核心產業(yè)鏈環(huán)節(jié)正逐步規(guī)?；?，陸續(xù)誕生躋身全球前十的龍頭廠商。

半導體核心產業(yè)鏈各環(huán)節(jié)大陸龍頭與全球龍頭企業(yè)平均凈利率對比

中國IC設計市場規(guī)模及其占比（單位：十億美元）

 

四、率先突破微笑曲線底部封測，晶圓代工為下一機會所在

不同于傳統(tǒng)產業(yè)微笑曲線“產品設計—制造—銷售”，半導體產業(yè)鏈中由IC 設計商同時負責IC 設計及營銷服務，由晶圓代工廠負責晶圓工藝研發(fā)及制造，因此微笑曲線路徑為“IC 設計—晶圓代工—封測—IC 設計”。

IC 設計環(huán)節(jié)輕資產，同時具備技術壁壘及渠道壁壘，附加值最高

晶圓代工環(huán)節(jié)重資產，技術壁壘較高，附加值較高

封測環(huán)節(jié)重資產，技術壁壘相對低，附加值相對低

經測算，IC 設計、晶圓代工、封測環(huán)節(jié)全球前十大廠商平均ROE 水平與微笑曲線路徑基本吻合。微笑曲線底部封測環(huán)節(jié)ROE 最低為12%，曲線中部晶圓代工環(huán)節(jié)ROE 居中為15%，曲線頂部IC 設計環(huán)節(jié)ROE 最高達21%。

大陸已率先突破微笑曲線底部封測環(huán)節(jié)，伴隨著封測業(yè)盈利質量提升拐點來臨。判斷，大陸半導體崛起將沿著微笑曲線由底部向兩端發(fā)展，封測之后的下一突破口便是晶圓代工。IC 制造為當前國家政策重點支持環(huán)節(jié)， 在一期大基金承諾投資額占比高達63%。期待大陸晶圓代工企業(yè)在獲取資本支持后，加快縮小與國際領先者的技術差距，依托本土高速成長的IC 設計需求，盡快實現(xiàn)盈利質量提升。

原文標題：2018中國半導體行業(yè)發(fā)展情況分析（附2017-2018融資案例）

文章出處：【微信號：mfg2025，微信公眾號：智能制造】