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景氣度逆勢升溫 看好集成電路和設備國產化

作者: 編輯: 來源: 發(fā)布日期: 2018.11.08
信息摘要:
8月全球半導體銷售額401.6億美元,同比+14.9%,增速持續(xù)放緩,其中中國半導體銷售額141.1億美元,同比+27.3%,增速領先世界,…

中國半導體銷售額增速領先世界,集成電路國產化進程有望加速

8月全球半導體銷售額401.6億美元,同比+14.9%,增速持續(xù)放緩,其中中國半導體銷售額 141.1億美元,同比+27.3%,增速領先世界,占比持續(xù)提升至35.1%。龍頭設備廠商營收增速下滑或呈現(xiàn)負增長:應用材料、LAMASML單季營收分別同比+19.3/-6.0/+13.4%,累計營收分別同比+25.3/-6.0/+22.3%。根據(jù)SEMI的預測, 2018、2019年全球半導體設備銷售額增速將分別放緩至10.8%、7.7%,但中國大陸的設備銷售額增速依然有望維持高位,20182019年分別有望實現(xiàn)43.5%、 46.6%的增長率,成為拉動行業(yè)的核心驅動力,中國將成為世界第二大半導體設備市場。9月集成電路進口金額320.4億美元,同比+21.8%;累計進口金額 2351.6億美元,同比+27.8%增速持續(xù)放緩。集成電路出口金額 83.9億美元,同比+36.3%大幅提升;累計出口金額613.1億美元,同比+30.1%增速回升。隨著全球半導體產能大規(guī)模向中國大陸轉移,集成電路整個產業(yè)鏈國產化進程有望加速。 1018日華虹集團華力二期 12英寸集成電路生產線順利建成投片,助力集成電路國產化。未來該生產線將從目前1萬片/月的產能逐步爬坡到4萬片/月,制造工藝也將從 28納米進步至14納米。

DRAM存儲器價格或將迎來拐點,硅片供需缺口仍將擴大

2018Q3存儲器主流廠商海力士、美光營收分別同比+41.0%、+37.5%增速放緩。海力士三季報顯示,其DRAM價格同比+1%,增速持續(xù)走低;NAND價格同比-10%,價格持續(xù)下降。三星、海力士已推遲內存工廠的擴建和產能擴充計劃,隨著 DRAM市場不斷趨向成熟集中和客戶需求增長減緩,DRAM價格或將迎來拐點,DRAMeXchange預計,2019DRAM價格或將同比下降15-20%,但 DRAM產量仍將同比提高22%。作為芯片的原材料硅片,由于擴產周期長,供給彈性小,新投產能進入供應鏈需要一定時間,故存儲器行業(yè)波動短期內難以傳導至上游硅片產業(yè)。我們預計未來兩年硅片將持續(xù)缺貨,且供需缺口將持續(xù)擴大,硅片價格仍將維持上漲。

國際品牌國產化助力半導體設備進口替代,國產設備市占率持續(xù)提升

10月16日屹唐半導體北京工廠首臺產品(干法去膠、干式刻蝕和快速熱處理設備)下線,成功進入中芯北方、長江存儲、華力微電子等客戶的生產線。此次下線產品,是屹唐在收購美國知名設備廠商Mattson后,首次對外發(fā)布新的產品,國際品牌國產化加速半導體設備進口替代進程。目前國內絕大部分工藝設備仍以日韓為主,從國內集成電路企業(yè)設備采購端看:晶圓環(huán)節(jié)設備方面,光刻設備尚未實現(xiàn)國產化,刻蝕設備非核心環(huán)節(jié)可國產化,檢測設備國產化率低,清洗設備非試劑環(huán)節(jié)可以基本國產化。硅片生產的核心環(huán)節(jié)——單晶爐有較大國產化突破(晶盛機電已經(jīng)在 8英寸單晶爐領域實現(xiàn)進口替代,12英寸單晶爐進入小批量產階段),此外,后段切磨拋國產化進程不斷加快,已經(jīng)具備80%整線制造能力。目前國產設備廠商主要有北方華創(chuàng)(高端設備龍頭,產品線最全)、中微半導體(刻蝕機研發(fā)成功迅速擠占市場)、盛美半導體(清洗設備龍頭,綁定海力士),其所在領域市占率不斷提升。其他中標的本土企業(yè)還包括沈陽拓荊、沈陽芯源、華海清科等。目前多臺國產設備正在進入驗證周期,未來隨著驗證周期結束,設備國產化將持續(xù)加快。

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