10月8日，工信部公布了一份答復(fù)政協(xié)《關(guān)于加快支持工業(yè)半導(dǎo)體芯片技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化自主發(fā)展的提案》的函，函中工信部指出，中國集成電路產(chǎn)業(yè)核心技術(shù)受制于人的局面仍然沒有根本改變，急需加強(qiáng)核心技術(shù)攻關(guān)，保障供應(yīng)鏈安全和產(chǎn)業(yè)安全。

工信部指出，將調(diào)整完善工業(yè)半導(dǎo)體芯片政策實(shí)施細(xì)則，促進(jìn)中國工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的技術(shù)迭代和應(yīng)用推廣；加強(qiáng)與先進(jìn)發(fā)達(dá)國家產(chǎn)學(xué)研機(jī)構(gòu)的戰(zhàn)略合作，進(jìn)一步鼓勵中國企業(yè)引進(jìn)國外專家團(tuán)隊(duì)；積極部署新材料及新一代產(chǎn)品技術(shù)的研發(fā)；推進(jìn)設(shè)立集成電路一級學(xué)科，進(jìn)一步做實(shí)做強(qiáng)示范性微電子學(xué)院。

持續(xù)推進(jìn)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展

在這份成文于2019年8月 31 日的函中，工信部指出，在當(dāng)前復(fù)雜的國際形勢下，工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）模塊的發(fā)展滯后將制約中國新舊動能轉(zhuǎn)化及產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型，進(jìn)而影響國家經(jīng)濟(jì)發(fā)展。工信部進(jìn)而對政協(xié)《關(guān)于加快支持工業(yè)半導(dǎo)體芯片技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化自主發(fā)展的提案》進(jìn)行了逐條回應(yīng)。

在制定工業(yè)半導(dǎo)體芯片發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃、出臺扶持技術(shù)攻關(guān)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策方面，下一步，工信部及相關(guān)部門將持續(xù)推進(jìn)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展，根據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢，調(diào)整完善政策實(shí)施細(xì)則，更好的支持產(chǎn)業(yè)發(fā)展。通過行業(yè)協(xié)會等加大產(chǎn)業(yè)鏈合作力度，促進(jìn)中國工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的技術(shù)迭代和應(yīng)用推廣。

在開放合作方面，該部將引導(dǎo)國內(nèi)企業(yè)、研究機(jī)構(gòu)等加強(qiáng)與先進(jìn)發(fā)達(dá)國家產(chǎn)學(xué)研機(jī)構(gòu)的戰(zhàn)略合作，進(jìn)一步鼓勵中國企業(yè)引進(jìn)國外專家團(tuán)隊(duì)，促進(jìn)中國工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)研發(fā)能力和產(chǎn)業(yè)能力的提升。

在技術(shù)突破上，該部將繼續(xù)支持中國工業(yè)半導(dǎo)體領(lǐng)域成熟技術(shù)發(fā)展，推動中國芯片制造領(lǐng)域良率、產(chǎn)量的提升。積極部署新材料及新一代產(chǎn)品技術(shù)的研發(fā)，推動中國工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件、IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

在人才培育方面，下一步，工信部與教育部等部門將推進(jìn)設(shè)立集成電路一級學(xué)科，進(jìn)一步做實(shí)做強(qiáng)示范性微電子學(xué)院，加快建設(shè)集成電路產(chǎn)教融合協(xié)同育人平臺，保障中國在工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展。

保障供應(yīng)鏈安全和產(chǎn)業(yè)安全

工信部賽迪研究院集成電路所副所長王世江接受21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報道記者采訪時指出，中國在集成電路基礎(chǔ)元器件方面仍存在短板是個歷史性的問題，“中國電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展路徑是從整機(jī)開始起步，這有利于發(fā)揮勞動密集型優(yōu)勢，再慢慢往上游的制造和原材料、元器件這些方面攀登。目前中國在整機(jī)上已取得長足進(jìn)步，制造這塊兒也在趕上。但是更上游的集成電路核心元器件這一塊，比如電容電感、模擬芯片、觸摸轉(zhuǎn)換等方面我們基礎(chǔ)仍然很差。”

以陶瓷電容（MLCC）為例，他介紹，這類核心元器件最大的特點(diǎn)是多品種、小批量，單獨(dú)品種的市場比較小，技術(shù)難度又較高，歐美企業(yè)經(jīng)過很多年的發(fā)展，已經(jīng)掌握這些技術(shù)并且占領(lǐng)了這些細(xì)分市場。中國的企業(yè)就很難再去與其競爭。而且中國在技術(shù)攻關(guān)上，更側(cè)重于集中力量辦大事，對于品種特別多的技術(shù)則很難發(fā)揮這一體制優(yōu)勢，因此，這一追趕需要一個過程。

工信部賽迪研究院的一份報告顯示，在高端芯片方面，中國在中央處理器（CPU）、存儲器、現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）、高速數(shù)模轉(zhuǎn)換器（AD/DA）等方面高度依賴進(jìn)口。其中，國產(chǎn)CPU總體水平仍然落后國際主流3到5年，計(jì)算架構(gòu)仍依賴于國際X86、ARM、MIPS、Power幾大架構(gòu)的授權(quán)。存儲器基本完全依賴進(jìn)口。特色制造工藝方面，高頻射頻器件、高功率IGBT、化合物半導(dǎo)體的制造技術(shù)依然欠缺。設(shè)備和原材料等產(chǎn)業(yè)配套方面，高端光刻機(jī)、高端光刻膠、12英寸硅片等仍未實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化。

值得注意的是，中美經(jīng)貿(mào)摩擦升級以來，中興、華為等高科技企業(yè)被美國商務(wù)部陸續(xù)納入出口管制實(shí)體清單，集成電路核心技術(shù)與元器件受制于人的問題日漸凸顯，保障供應(yīng)鏈安全和產(chǎn)業(yè)安全備受世人關(guān)注。

在近日由清華大學(xué)經(jīng)管學(xué)院舉辦的“中美摩擦下的中國經(jīng)濟(jì)”研討會上，21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報道從清華大學(xué)微納電子學(xué)系主任、微電子所所長魏少軍處獲悉，去年中國采購了全球2/3（3120億美元）的芯片，其中約1700億美元隨著整機(jī)出口至國外，中國本土使用了全球34%（1540億美元）的芯片。

他介紹，中國自己生產(chǎn)的半導(dǎo)體大概在全球占7.9%，這意味著還有26%、近1200億美元的市場依賴進(jìn)口。

關(guān)于是否會擔(dān)心美國在半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)χ袊鴶喙课荷佘娭赋?，中國更關(guān)注的是芯片的供應(yīng)安全，而國外半導(dǎo)體供應(yīng)商也非常關(guān)注如何保持中國的市場份額，斷供對中美必然是兩敗俱傷的。他指出，美國半導(dǎo)體產(chǎn)值大概2300億美元，約占全球半導(dǎo)體市場的一半，其中近一半依賴中國市場，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在世界各地已形成高度依存的全球產(chǎn)業(yè)鏈。

附：工信部復(fù)函全文

關(guān)于政協(xié)十三屆全國委員會第二次會議第2282號（公交郵電類256號）提案答復(fù)的函

民進(jìn)9組：

你們提出的《關(guān)于加快支持工業(yè)半導(dǎo)體芯片技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化自主發(fā)展的提案》收悉。經(jīng)商發(fā)展改革委，現(xiàn)答復(fù)如下：

集成電路產(chǎn)業(yè)是國民經(jīng)濟(jì)和社會發(fā)展的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)，其技術(shù)水平和發(fā)展規(guī)模已成為衡量一個國家產(chǎn)業(yè)競爭力和綜合國力的重要標(biāo)志。黨中央、國務(wù)院高度重視集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，先后出臺《國務(wù)院關(guān)于印發(fā)鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策的通知》（國發(fā)〔2000〕18號）、《國務(wù)院關(guān)于印發(fā)進(jìn)一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策的通知》（國發(fā)〔2011〕4號）、《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》（以下簡稱《推進(jìn)綱要》）等一系列文件，組織實(shí)施了相關(guān)國家科技重大專項(xiàng)，為我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)I造了良好的產(chǎn)業(yè)環(huán)境。

近年來，我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展取得了長足進(jìn)步，但是核心技術(shù)受制于人的局面仍然沒有根本改變，急需加強(qiáng)核心技術(shù)攻關(guān)，保障供應(yīng)鏈安全和產(chǎn)業(yè)安全。正如你們在建議中所言，在當(dāng)前復(fù)雜的國際形勢下，工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）模塊的發(fā)展滯后將制約我國新舊動能轉(zhuǎn)化及產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型，進(jìn)而影響國家經(jīng)濟(jì)發(fā)展。你們對發(fā)展我國工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)提出了很好的意見和建議，對我們今后的工作具有借鑒意義。

一、關(guān)于制定工業(yè)半導(dǎo)體芯片發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃，出臺扶持技術(shù)攻關(guān)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策的建議

為推動我國工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展，我部、發(fā)展改革委及相關(guān)部門，積極研究出臺政策扶持產(chǎn)業(yè)發(fā)展。一是2014年國務(wù)院發(fā)布的《推進(jìn)綱要》中，已經(jīng)將工業(yè)半導(dǎo)體芯片相關(guān)產(chǎn)品作為發(fā)展重點(diǎn)，通過資金、應(yīng)用、人才等方面政策推動產(chǎn)業(yè)進(jìn)步。二是發(fā)展改革委、我部研究制定了集成電路相關(guān)布局規(guī)劃，推動包括工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片等產(chǎn)業(yè)形成區(qū)域集聚、主體集中的良性發(fā)展局面。三是按照國發(fā)〔2011〕4號文件的有關(guān)要求，對符合條件的工業(yè)半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)、制造等企業(yè)的企業(yè)所得稅、進(jìn)口關(guān)稅等方面出臺了多項(xiàng)稅收優(yōu)惠政策，對相關(guān)領(lǐng)域給予重點(diǎn)扶持。四是圍繞能源、交通等國家重點(diǎn)工業(yè)領(lǐng)域，充分發(fā)揮相關(guān)行業(yè)組織作用，通過舉辦產(chǎn)用交流對接會、新產(chǎn)品推介會、發(fā)布典型應(yīng)用示范案例等方式，為我國工業(yè)半導(dǎo)體芯片企業(yè)和整機(jī)企業(yè)搭建交流合作平臺。

下一步，我部及相關(guān)部門將持續(xù)推進(jìn)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展，根據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢，調(diào)整完善政策實(shí)施細(xì)則，更好的支持產(chǎn)業(yè)發(fā)展。通過行業(yè)協(xié)會等加大產(chǎn)業(yè)鏈合作力度，深入推進(jìn)產(chǎn)學(xué)研用協(xié)同，促進(jìn)我國工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的技術(shù)迭代和應(yīng)用推廣。

二、關(guān)于開放合作，推動我國工業(yè)半導(dǎo)體芯片材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展的建議

集成電路是高度國際化、市場化的產(chǎn)業(yè)，資源整合、國際合作是快速提升產(chǎn)業(yè)發(fā)展能力的重要途徑。我部與相關(guān)部門積極支持國內(nèi)企業(yè)、高校、研究院所與先進(jìn)發(fā)達(dá)國家加強(qiáng)交流合作。引進(jìn)國外先進(jìn)技術(shù)和研發(fā)團(tuán)隊(duì)，推動包括工業(yè)半導(dǎo)體芯片、器件等領(lǐng)域國際專家來華交流，支持海外高層次產(chǎn)業(yè)人才來華發(fā)展，提升我國在工業(yè)半導(dǎo)體芯片相關(guān)領(lǐng)域的研發(fā)能力和技術(shù)實(shí)力。

下一步，我部和相關(guān)部門將繼續(xù)加快推進(jìn)開放發(fā)展。引導(dǎo)國內(nèi)企業(yè)、研究機(jī)構(gòu)等加強(qiáng)與先進(jìn)發(fā)達(dá)國家產(chǎn)學(xué)研機(jī)構(gòu)的戰(zhàn)略合作，進(jìn)一步鼓勵我國企業(yè)引進(jìn)國外專家團(tuán)隊(duì)，促進(jìn)我國工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)研發(fā)能力和產(chǎn)業(yè)能力的提升。

三、關(guān)于步步為營分階段突破關(guān)鍵技術(shù)的建議

為解決工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件、IGBT模塊等核心部件的關(guān)鍵性技術(shù)問題，我部等相關(guān)部門積極支持工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件、IGBT模塊領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)。一是2017年我部推出“工業(yè)強(qiáng)基IGBT器件一條龍應(yīng)用計(jì)劃”，針對新能源汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通三大領(lǐng)域，重點(diǎn)支持IGBT設(shè)計(jì)、芯片制造、模塊生產(chǎn)及IDM、上游材料、生產(chǎn)設(shè)備制造等環(huán)節(jié)，促進(jìn)IGBT及相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。二是指導(dǎo)湖南省建立功率半導(dǎo)體制造業(yè)創(chuàng)新中心建設(shè)，整合產(chǎn)業(yè)鏈上下游資源，協(xié)同攻關(guān)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件、IGBT模塊領(lǐng)域關(guān)鍵共性技術(shù)。三是指導(dǎo)中國寬禁帶半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟發(fā)布《中國IGBT技術(shù)與產(chǎn)業(yè)發(fā)展路線圖（2018-2030）》，引導(dǎo)我國IGBT行業(yè)技術(shù)升級，推動相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

下一步，我部將繼續(xù)支持我國工業(yè)半導(dǎo)體領(lǐng)域成熟技術(shù)發(fā)展，推動我國芯片制造領(lǐng)域良率、產(chǎn)量的提升。積極部署新材料及新一代產(chǎn)品技術(shù)的研發(fā)，推動我國工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件、IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

四、關(guān)于高度重視人才隊(duì)伍的培養(yǎng)，出臺政策和措施建立這一領(lǐng)域長期有效的人才培養(yǎng)計(jì)劃的建議

當(dāng)前，人才問題特別是高端人才團(tuán)隊(duì)短缺成為制約我國工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵因素，為此我部及相關(guān)部門積極推動我國相關(guān)產(chǎn)業(yè)人才的培養(yǎng)。一是我部、教育部共同推動籌建集成電路產(chǎn)教融合發(fā)展聯(lián)盟，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界的資源整合，推動培養(yǎng)擁有工程化能力的產(chǎn)業(yè)人才。二是同時以集成電路為試點(diǎn)實(shí)施關(guān)鍵領(lǐng)域核心技術(shù)緊缺博士人才自主培養(yǎng)專項(xiàng)，根據(jù)行業(yè)企業(yè)需要，依托高水平大學(xué)和國內(nèi)骨干企業(yè)，針對性地培養(yǎng)一批高端博士人才。三是教育部、我部等相關(guān)部門印發(fā)了《關(guān)于支持有關(guān)高校建設(shè)示范性微電子學(xué)院的通知》，支持26所高校建設(shè)或籌建示范性微電子學(xué)院，推動高校與區(qū)域內(nèi)集成電路領(lǐng)域骨干企業(yè)、國家公共服務(wù)平臺、科技創(chuàng)新平臺、產(chǎn)業(yè)化基地和地方政府等加強(qiáng)合作。

下一步，我部與教育部等部門將進(jìn)一步加強(qiáng)人才隊(duì)伍建設(shè)。推進(jìn)設(shè)立集成電路一級學(xué)科，進(jìn)一步做實(shí)做強(qiáng)示范性微電子學(xué)院，加快建設(shè)集成電路產(chǎn)教融合協(xié)同育人平臺，保障我國在工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展。