在半導體材料的制備過程中，每一道工序都涉及到清洗，而且清洗的好壞直接影響下一道工序，甚至影響器件的成品率和可靠性。由于ULSI集成度的迅速提高和器件尺寸的減小，對于晶片表面沾污的要求更加嚴格，ULSI工藝要求在提供的襯底片上吸附物不多于500個/m2×0.12um，金屬污染小于 1010atom/cm2。晶片生產(chǎn)中每一道工序存在的潛在污染，都可導致缺陷的產(chǎn)生和器件的失效。因此，硅片的清洗引起了專業(yè)人士的重視。以前很多廠家都用手洗的方法，這種方法人為的因素較多，一方面容易產(chǎn)生碎片，經(jīng)濟效益下降，另一方面手洗的硅片表面潔凈度差，污染嚴重，使下道工序化拋腐蝕過程中的合格率較低。所以，硅片的清洗技術(shù)引起了人們的重視，找到一種簡單有效的清洗方法是當務之急。專業(yè)介紹了一種 超聲波清洗技術(shù)，其清洗硅片的效果顯著，是一種值得推廣的硅片清洗技術(shù)。

晶片表面層原子因垂直切片方向的化學鍵被破壞而成為懸空鍵，形成表面附近的自由力場，尤其磨片是在鑄鐵磨盤上進行，所以鐵離子的污染就更加嚴重。同時，由于磨料中的金剛砂粒徑較大，造成磨片后的硅片破損層較大，懸掛鍵數(shù)目增多，極易吸附各種雜質(zhì)，如顆粒、有機雜質(zhì)、無機雜質(zhì)、金屬離子、硅粉粉塵等，造成磨片后的硅片易發(fā)生變花、發(fā)藍、發(fā)黑等現(xiàn)象，使磨片不合格。硅片清洗的目的就是要除去各類污染物，清洗的潔凈程度直接決定著ULSI向更高集成度、可靠性、成品率發(fā)展，這涉及到高凈化的環(huán)境、水、化學試劑和相應的設(shè)備及配套工藝，難度越來越大，可見半導體行業(yè)中清洗工藝的重要性。

無錫市奧曼特科技有限公司成立于2003年，有多年太陽能硅片清洗設(shè)備和電池線設(shè)備制造的經(jīng)驗，可以為客戶提供更適合的產(chǎn)品和解決方案，2008年企業(yè)通過了ISO9001：2000的質(zhì)量管理體系，使產(chǎn)品的穩(wěn)定性和服務的優(yōu)越性均得到了驗證。咨詢熱線：051081000181