隨著超大規(guī)模集成電路的發(fā)展、集成度的不斷提高、線寬的不斷減小，對(duì)硅片表面的潔凈度及表面態(tài)的要求越來(lái)越高，對(duì)硅片清洗技術(shù)也越來(lái)越高。要得到高質(zhì)量的半導(dǎo)體器件，僅僅除去硅片表面的沾污已不再是最終的要求。在清洗過(guò)程中造成的表面化學(xué)態(tài)、氧化膜厚度、表面粗糙度等已成為同樣重要的參數(shù)。

目前，通常應(yīng)用的清洗方法是濕式化學(xué)清洗法，即利用有機(jī)溶劑、堿性溶液、酸性溶液、表面活性劑等化學(xué)試劑，配合兆聲、超聲、加熱等物理措施，使有機(jī)物、顆粒、金屬等沾污脫離硅片表面，然后用大量的去離子水沖洗，獲得潔凈的硅片表面的清洗方法。

沉積在硅片表面的粒子、金屬、有機(jī)物、濕氣分子和自然氧化膜的一種或幾種而形成了硅片表面沾污;因?yàn)橛袡C(jī)物會(huì)遮蓋部分硅片表面，使氧化層和與之相關(guān)的沾污難以去除。

在濕式清洗工藝中，硅片表面都有一層化學(xué)氧化膜，這層氧化膜是主要的沾污源。如果沒(méi)有這層氧化膜可大大降低金屬、有機(jī)物等沾污。可用HF清洗或簡(jiǎn)化常規(guī)工藝后最后用HF清洗，可通過(guò)降低與周圍環(huán)境的接觸來(lái)獲得一個(gè)理想的鈍化表面，減少顆粒吸附在敏感的疏水性表面上。這就對(duì)清洗工藝設(shè)備提出了多方面的要求。

目前的硅片清洗技術(shù)設(shè)備，則是將所有的清洗工藝步驟(清洗和干燥)結(jié)合在一個(gè)工藝槽中，大大地減少了硅片與空氣的接觸。將HF作為最后一道清洗液，采用了標(biāo)準(zhǔn)的刻蝕(采用了使用HF/HNO3, KOH, H3PO4, BOE, DHF, SPM, SOM等)，表面也不存在水印，清洗效果非常好。

伴隨著硅片的大直徑化，器件結(jié)構(gòu)的超微小化、高集成化，對(duì)硅片的潔凈程度、表面的化學(xué)態(tài)、微粗糙度、氧化膜厚度等表面狀態(tài)的要求越來(lái)越高。同時(shí)，要求用更經(jīng)濟(jì)的、給環(huán)境帶來(lái)更少污染的工藝獲得更高性能的硅片。

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