在中美貿(mào)易摩擦有所緩和之際，日前紫光集團(tuán)宣布組建DRAM集團(tuán)，讓市場(chǎng)注意力集中到國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器布局上。當(dāng)前國(guó)際存儲(chǔ)寡頭壟斷的格局下，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)方隊(duì)既要面對(duì)技術(shù)、團(tuán)隊(duì)等方面的疊代差距，又要面對(duì)當(dāng)前國(guó)際半導(dǎo)體市場(chǎng)勢(shì)弱，存儲(chǔ)大幅降價(jià)的風(fēng)險(xiǎn)，迎難而上，逆勢(shì)擴(kuò)張。

國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)降溫

6月30日晚間，紫光集團(tuán)宣布了組建DRAM事業(yè)群的計(jì)劃，并配套部署人事安排，深化和完善紫光集團(tuán)“從芯到云”產(chǎn)業(yè)鏈的建設(shè)。而如果放眼國(guó)際，此時(shí)紫光集團(tuán)布局DRAM可謂迎難而上，逆勢(shì)擴(kuò)張。

據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)官網(wǎng)最新統(tǒng)計(jì)，5月全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額為331億美元，同比2018年同期減少14.6%，環(huán)比4月有所少量增長(zhǎng)；而且相比去年同期，全球所有區(qū)域市場(chǎng)的半導(dǎo)體銷(xiāo)售均出現(xiàn)下降，其中美洲下降最多，達(dá)到27.9%，日本下降 13.6%，中國(guó)下降9.8%，亞太其他地區(qū)下降12.6%。

美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)總裁兼首席執(zhí)行官約翰·諾伊弗表示：“全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額今年5月沒(méi)有達(dá)到去年同月的銷(xiāo)售額，這是連續(xù)第五個(gè)月出現(xiàn)同比負(fù)增長(zhǎng)。”今年存儲(chǔ)器可謂遭遇“寒冬”。其中 DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）雖然位居半導(dǎo)體存儲(chǔ)領(lǐng)域市占率第一的地位，2017年迎來(lái)銷(xiāo)售環(huán)比大增，但今年情況發(fā)生逆轉(zhuǎn)。

TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存研究已連續(xù)指出，受到美國(guó)禁用華為事件持續(xù)發(fā)酵，華為智能型手機(jī)以及服務(wù)器產(chǎn)品在未來(lái)的兩至三個(gè)季度可能將持續(xù)遭受?chē)?yán)重的出貨阻礙，下半年DRAM產(chǎn)品的旺季需求將遭受沖擊，行業(yè)見(jiàn)底時(shí)間或延長(zhǎng)。

據(jù)預(yù)測(cè)，第三季DRAM價(jià)格展望跌幅由原先預(yù)估的10%將擴(kuò)大至10%到15%?？紤]國(guó)際存儲(chǔ)三家大廠(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)，加上DRAM制程技術(shù)已經(jīng)面臨物理極限，預(yù)估DRAM價(jià)格要跌破供貨商的生產(chǎn)總成本可能性極低，但是，中美貿(mào)易戰(zhàn)升溫恐使得今年下半年需求急凍，不確定性氛圍提高使得數(shù)據(jù)中心的資本支出放緩，在今年年底前，體質(zhì)較弱的 DRAM供貨商恐怕將遭受庫(kù)存損失，財(cái)務(wù)報(bào)表可能轉(zhuǎn)虧；預(yù)計(jì)DRAM價(jià)格可能將到2020年有機(jī)會(huì)出現(xiàn)止跌回升。

國(guó)際存儲(chǔ)巨頭的情況也不容樂(lè)觀(guān)，雖然占據(jù)了全球90%以上的DRAM市場(chǎng)份額，但營(yíng)收普遍下滑。據(jù)統(tǒng)計(jì)，今年一季度，龍頭公司三星受到報(bào)價(jià)下跌影響，營(yíng)收較上季下滑26.3%；而SK海力士的營(yíng)收位出貨下滑約8%，第一季營(yíng)收較上季衰退 31.7%；美光營(yíng)收也下滑了約三成。臺(tái)系廠(chǎng)商也不容樂(lè)觀(guān)。南亞科第一季營(yíng)收位出貨下跌超過(guò)20%，營(yíng)業(yè)利益率幾乎減半；力晶科技生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品第一季出貨量上升，帶動(dòng)營(yíng)收逆勢(shì)成長(zhǎng)5.7%，涵蓋DRAM代工業(yè)務(wù)，營(yíng)收則下滑近15%。

國(guó)內(nèi)企業(yè)逆勢(shì)擴(kuò)展

國(guó)金證券分析師樊志遠(yuǎn)在研報(bào)中指出，今年一季度后，存儲(chǔ)器大廠(chǎng)處于高成本庫(kù)存，導(dǎo)致二季度、三季度運(yùn)營(yíng)成本高于市場(chǎng)預(yù)期；預(yù)計(jì)全球存儲(chǔ)器行業(yè)今年衰退30%～35%，牽動(dòng)全球半導(dǎo)體衰退14%。

在此背景下，國(guó)內(nèi)主要存儲(chǔ)方隊(duì)選擇了逆勢(shì)布局。本次紫光集團(tuán)組建的DRAM事業(yè)部，紫光集團(tuán)表示這標(biāo)志著集團(tuán)DRAM戰(zhàn)略正式起航，將進(jìn)一步拓寬在存儲(chǔ)器領(lǐng)域的相關(guān)布局。人事配備上，委任刁石京為紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群董事長(zhǎng)，高啟全擔(dān)任紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群CEO。其中，刁石京曾擔(dān)任工信部電子信息司司長(zhǎng)等職位；高啟全現(xiàn)擔(dān)任紫光集團(tuán)全球執(zhí)行副總裁、長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行董事及代行董事長(zhǎng)、武漢新芯 CEO，有“臺(tái)灣存儲(chǔ)教父”之稱(chēng)。

經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展，紫光集團(tuán)在存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)制造領(lǐng)域已形成一定基礎(chǔ)，積累了從設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、測(cè)試、方案構(gòu)建到全球量產(chǎn)銷(xiāo)售等研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)。在DRAM領(lǐng)域，紫光旗下西安紫光國(guó)芯自主創(chuàng)新出全球首系列內(nèi)嵌自檢測(cè)修復(fù)DRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品；開(kāi)發(fā)的存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)品中有二十余款產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)全球量產(chǎn)和銷(xiāo)售。

另外，在3D NAND閃存領(lǐng)域，紫光旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功研發(fā)并已小批量生產(chǎn)了32層3D NAND閃存芯片，其創(chuàng)新的Xtacking TM技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了3D NAND閃存芯片結(jié)構(gòu)的歷史性突破。紫光集團(tuán)表示，基于西安紫光國(guó)芯和長(zhǎng)江存儲(chǔ)的成功經(jīng)驗(yàn)，集團(tuán)正探索出一條存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)制造的產(chǎn)業(yè)發(fā)展之路。

芯謀研究首席分析師顧文軍指出，相對(duì)而言，DRAM更加成熟、高度集中和更加“標(biāo)準(zhǔn)”的產(chǎn)業(yè)特性，做DRAM的難度要遠(yuǎn)超NAND Flash。任何新進(jìn)入者都面臨著技術(shù)來(lái)源、團(tuán)隊(duì)、專(zhuān)業(yè)化運(yùn)營(yíng)和成本的幾大難題。目前來(lái)看，中國(guó)大陸做 DRAM的幾家都沒(méi)有全面解決上述問(wèn)題；晉華去年的被禁，就是一個(gè)警示。

國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)原為三大陣營(yíng)，分別是紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)，以及合肥長(zhǎng)鑫與晉華集成。但是去年10月美國(guó)商務(wù)部以國(guó)家安全為由，對(duì)晉華集成實(shí)施出口管制，并列入出口管制“實(shí)體清單”。

由兆易創(chuàng)新、合肥產(chǎn)投等投資的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)，目前來(lái)看進(jìn)展相對(duì)順利，預(yù)期最快將于今年底或明年初進(jìn)入量產(chǎn)。據(jù)報(bào)道，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)通過(guò)購(gòu)買(mǎi)奇夢(mèng)達(dá)專(zhuān)利部分解決了知識(shí)產(chǎn)權(quán)問(wèn)題。

對(duì)于如何避免類(lèi)似晉華事件發(fā)生，集邦咨詢(xún)研究副總經(jīng)理郭祚榮向證券時(shí)報(bào)記者表示，只要保證技術(shù)來(lái)源沒(méi)問(wèn)題，列入實(shí)體列表機(jī)率就低了；而無(wú)論是NAND還是DRAM，發(fā)展難度都不低，本輪逆勢(shì)擴(kuò)張取決于國(guó)家是否支持。

集邦咨詢(xún)指出，紫光并非首次計(jì)劃進(jìn)軍DRAM產(chǎn)業(yè)，早在2014年期間紫光就曾表達(dá)出研發(fā)DRAM的決心，但當(dāng)時(shí)為了平衡產(chǎn)業(yè)與地方發(fā)展，確立紫光發(fā)展NAND Flash的路線(xiàn)，DRAM研發(fā)之路無(wú)疾而終。

此次紫光集團(tuán)重返DRAM研發(fā)之路，除了晉華事件影響外，還有產(chǎn)業(yè)布局考慮。合肥長(zhǎng)鑫5月在上海參加全球半導(dǎo)體聯(lián)盟存儲(chǔ)器論壇時(shí)，預(yù)計(jì)今年底量產(chǎn)8Gb的DRAM產(chǎn)品，但僅有一家正在進(jìn)行的DRAM廠(chǎng)對(duì)中國(guó)自主開(kāi)發(fā)DRAM產(chǎn)品的目標(biāo)是不夠的。目前紫光欠缺的是 DRAM的制程技術(shù)，這部分預(yù)計(jì)可望借由其新任CEO的業(yè)界人脈進(jìn)行補(bǔ)強(qiáng)。

國(guó)產(chǎn)化機(jī)遇

從政策方面，國(guó)家對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)的重視可見(jiàn)一斑。6月14日晚間，證監(jiān)會(huì)同意科創(chuàng)板IPO注冊(cè)，華興源創(chuàng)、睿創(chuàng)微納兩家集成電路企業(yè)拔頭籌；另外，科創(chuàng)板申請(qǐng)企業(yè)中，還有專(zhuān)注于企業(yè)級(jí)光存儲(chǔ)解決方案的紫晶存儲(chǔ)，目前在接受科創(chuàng)板第三輪問(wèn)詢(xún)。

5月份，財(cái)政部、稅務(wù)總局發(fā)布公告有關(guān)企業(yè)所得稅政策中，集成電路企業(yè)獲扶持。

資本市場(chǎng)也在孕育半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化機(jī)遇。以太極實(shí)業(yè)為例，2018年6月傳聞落地，國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“大基金”）受讓控股股東6.17%股份，成為上市公司第二大股東。此后，太極實(shí)業(yè)屢次攬獲半導(dǎo)體工程承包訂單，包括 “中國(guó)大陸半導(dǎo)體之父 ”張汝京所創(chuàng)辦的青島芯恩工程總承包訂單。

除了建造，半導(dǎo)體關(guān)鍵材料、設(shè)備也存在機(jī)遇。據(jù)介紹，目前各類(lèi)關(guān)鍵工藝設(shè)備國(guó)產(chǎn)化差異大，CMP、PVD、刻蝕、清洗設(shè)備、熱處理的國(guó)產(chǎn)化率處于10%～30%，而量測(cè)、光刻等設(shè)備全部依賴(lài)進(jìn)口。

郭祚榮向記者表示，隨著紫光進(jìn)一步加碼存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)，對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化將會(huì)產(chǎn)生助益，關(guān)鍵在于國(guó)產(chǎn)設(shè)備能否滿(mǎn)足相關(guān)條件。

國(guó)泰君安研報(bào)指出，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是目前對(duì)于國(guó)產(chǎn)設(shè)備最為友好的產(chǎn)線(xiàn)之一。2017年至2018年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)共采購(gòu)了17批共計(jì)約2000臺(tái)設(shè)備。其中，中微公司供應(yīng)刻蝕設(shè)備，盛美半導(dǎo)體和北方華創(chuàng)等提供清洗設(shè)備等。后續(xù)隨著產(chǎn)能爬坡，北方華創(chuàng)、中微公司等設(shè)備廠(chǎng)商有望加速實(shí)現(xiàn)供應(yīng)。