下面由無(wú)錫奧曼特為大家普及一下半導(dǎo)體污染物雜質(zhì)的分類：

    半導(dǎo)體制備需要有一些有機(jī)物和無(wú)機(jī)物參與完成，另外，制作過(guò)程中總是在人的參與下在超凈間進(jìn)行，這樣就不可避免的產(chǎn)生各種環(huán)境對(duì)硅片污染的情況發(fā)生。根據(jù)污染物發(fā)生的情況，大致可將污染物分為顆粒、有機(jī)物、金屬污染物及氧化物。

（1）顆粒

顆粒主要是一些聚合物，光致抗蝕劑及蝕刻雜質(zhì)等。通常的顆粒粘附在硅表面，影響下一工序幾何特征的形成及電特性。根據(jù)顆粒與表面的粘附情況分析，其粘附力雖然表現(xiàn)出多樣化，但主要是范德瓦爾斯吸引力，所以對(duì)顆粒的去除方法主要以物理或化學(xué)的方面對(duì)顆粒進(jìn)行底切，逐漸減少顆粒與硅表面的接觸面積，最終將其去除。

（2）有機(jī)物

有機(jī)物雜質(zhì)在IC制程中以多種形式存在，如人的皮膚油脂，凈化室的空氣、機(jī)械油、硅樹脂真空脂、光致抗蝕劑、清洗溶劑等。每種污染物對(duì)IC的制備過(guò)程都有不同程度的影響，通常在晶片表面形成有機(jī)薄膜阻止清洗液到達(dá)晶片表面，因此有機(jī)物的去除常常在清洗工序的第一步進(jìn)行。

（3）金屬污染物

IC電路制造過(guò)程中采用金屬互連材料將各個(gè)獨(dú)立的器件連接起來(lái)，首先采用光刻、蝕刻的方法在絕緣層上制作接觸窗口，再利用蒸發(fā)、濺射或化學(xué)汽相沉積（CVD）形成金屬互連膜，如Al-Si、Cu等，通過(guò)蝕刻產(chǎn)生互連線，然后對(duì)沉積介質(zhì)層進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）。這個(gè)過(guò)程對(duì)IC制程也是一個(gè)潛在的污染過(guò)程，在形成金屬互連的同時(shí)，也產(chǎn)生各種金屬污染。必須采取相應(yīng)的措施去除金屬污染物。

（4）原生氧化物及化學(xué)氧化物

硅原子非常容易在含氧氣及水的環(huán)境下氧化形成氧化層，稱為原生氧化層。硅晶圓經(jīng)過(guò)SC-1和SC-2溶液清洗后，由于雙氧水的強(qiáng)氧化力，在晶圓表面上會(huì)生成一層化學(xué)氧化層。為了確保閘極氧化層的品質(zhì)，此表面氧化層必須在晶圓清洗過(guò)后加以去除。另外，在IC制程中采用化學(xué)汽相沉積法（CVD）沉積的氮化硅、二氧化硅等氧化物也要在相應(yīng)的清洗過(guò)程中有選擇的去除。

    由上可以看出半導(dǎo)體污染物雜質(zhì)有四類，那么可以看出半導(dǎo)體污染物雜質(zhì)的清洗很重要，位于江蘇無(wú)錫碩放空港產(chǎn)業(yè)園無(wú)錫奧曼特科技有限公司專業(yè)生產(chǎn)全自動(dòng)半導(dǎo)體甩干機(jī)，聯(lián)系電話：15995260361  公司網(wǎng)址：hajyh.cn